TopoLogic、NEDO「GX分野のディープテック・スタートアップに対する実用化研究開発・量産化実証支援事業」に採択

東大発ディープテック・スタートアップが温暖化ガスの排出削減に寄与する「省電力磁気メモリ」技術の開発・実装に向けて前進

新素材・トポロジカル物質の社会実装を目指すTopoLogic株式会社（本社：東京都文京区、代表取締役社長：佐藤太紀）は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（以下「NEDO」）が実施する「GX分野のディープテック・スタートアップに対する実用化研究開発・量産化実証支援事業（以下「GX事業」）」第4回公募のSTSフェーズに採択されたことをお知らせいたします。

本支援事業を通じ、省電力磁気メモリ技術の実用化を目指してまいります。

磁気メモリ技術「TL-RAM(TM)」

特殊な物理効果を発生させる新素材「トポロジカル物質」の特性を活用し、磁気メモリの省電力化を実現する技術です。

省電力化を実現する磁気メモリ技術「TL-RAM(TM)」

パソコンやスマートフォン、AIに不可欠なデータセンターのメモリ消費電力量を最大90％削減。さらに、データセンターのプロセッサーやメモリチップでTL-RAM(TM)を使うことで、データセンター全体の消費電力量を約50％削減できます。

時間の経過で記憶情報が消失しない不揮発性で、放射線下でも使用できる高い環境耐性を備え、耐久性にも優れています。

テクノロジーの進化による経済成長と、CO2排出量の削減による地球環境保全の両立は、全世界で取り組むべき共通課題です。

TL-RAM(TM)は、次世代半導体の省電力化における革新的なソリューションとして、電力削減を通じて温暖化ガスの排出削減に寄与します。

NEDOのGX事業について

GX事業では、技術の確立や事業化・社会実装までに長期の研究開発と大規模な資金を要し、リスクは高いものの国や世界全体で対処すべき経済社会課題（カーボンニュートラル、資源循環、経済安全保障等）の解決にも資すると考えられる革新的な技術の研究開発に取り組んでいる「ディープテック・スタートアップ」に対し、〔1〕STS フェーズ（実用化研究開発（前期））、〔2〕PCA フェーズ（実用化研究開発（後期））、〔3〕DMP フェーズ（量産化実証）の3つのフェーズにおいて、研究開発や事業化のための支援を行います。

各フェーズでの事業実施後、ステージゲート審査で認められた場合には、次のフェーズへ進めるなど事業を継続して実施することを可能とします。

（引用：https://www.nedo.go.jp/activities/ZZJP_100250.html）

採択結果はこちら：https://www.nedo.go.jp/koubo/CA3_100483.html

TopoLogicについて

TopoLogic株式会社は、新素材・トポロジカル物質の社会実装を通じ、世界の産業課題の解決を目指す東大発ディープテック・スタートアップです。

トポロジカル物質とは

トポロジカル物質は、これまでの物質とはまったく異なる電子バンド構造を持ち、従来の代表的な物質である絶縁体・導体（金属）・半導体には見られない現象を起こす物質です。2016年には、「トポロジカル相転移および物質のトポロジカル相の理論的発見」の業績で、3名の研究者がノーベル物理学賞を受賞しました。

トポロジカル物質を用いれば、従来の物質では成し得なかったレベルの高度な「エネルギーの可視化」「省エネルギー化」を推進でき、エネルギー問題への貢献を加速させることも可能となります。