令和8年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞 開発部門 において、当社の「内部加工型レーザダイシング技術の開発」が受賞しました。
本表彰は、日本の社会経済、国民生活の発展向上などに寄与し、実際に利活用されている画期的な研究開発もしくは発明を行った者を対象に、文部科学省が顕彰するものです。
 
＜受賞テーマについて＞
半導体ウエハは微細化・高集積化が進んでおり、ウエハをチップに切り出すダイシング工程においては、加工時のチップの欠けや損傷を防ぎつつ、高速・高精度に加工できる切断技術が求められています。
 
当社は、透過性のレーザ光を用いてウエハ内部に切断起点となる改質層を形成し、その改質層からき裂を表裏面方向へ伸展させることでチップを切断する、内部加工型レーザダイシング技術を開発しました。材料内部から切断するため、チップの表裏面には欠けや削り代が発生せず、「完全ドライプロセス」「チップ強度UP」「チップ収率UP」といった特徴を有するダイシング方法を確立しています。さらに、先端半導体デバイスに用いられる低誘電率膜（Low-k膜）など、機械的強度の低い材料に対しても、高品質な切断を実現しました。
 
本開発成果は、レーザ光源および光学系をモジュール化した内部加工型レーザダイシングエンジンとして装置メーカへ供給され、極薄NANDフラッシュメモリや生成AI向け高帯域幅メモリの量産に貢献しています。
 
＜受賞者＞
坂本 剛志（さかもと たけし）　　レーザ事業部企画設計部市場開発グループ
杉浦 隆二（すぎうら りゅうじ）　レーザ事業部企画設計部企画設計グループ
福世 文嗣（ふくよ ふみつぐ）　　電子管事業部電子管技術部
 
左から福世、坂本、杉浦
 
 
内部加工型レーザダイシングエンジン