2026年3月23日[NASDAQ: MCHP] – Microchip Technology Incorporated(日本法人: 東京都港区浜松町、代表: 櫟晴彦 以下Microchip社)は本日、HV-H3TRB(高電圧、高温、高湿逆バイアス)の厳しい基準を満たすように設計された
BZPACK mSiC®パワーモジュール
(
)を発表しました。BZPACKモジュールは、要求の厳しい電力変換用途においてきわめて高い信頼性を実現し、製造を効率化すると共に、柔軟なシステム設計を可能にします。ハーフブリッジ、フルブリッジ、三相、PIM/CIB構成を含む幅広いトポロジで利用可能で、設計者は性能、コスト、システム アーキテクチャを柔軟に最適化する事ができます。
BZPACK mSiCパワーモジュールは1,000時間の基準を超えるHV-H3TRB規格に適合する事が試験で実証済みのため、産業用および再生可能エネルギ アプリケーションに安心して導入できます。CTI(比較トラッキング指数)600V対応のケース、全温度レンジで安定したRds(on)、酸化アルミニウム(Al₂O₃)または窒化アルミニウム(AlN)の基板オプションにより、優れた絶縁性、温度管理、長期耐久性を発揮します。
Microchip社high-power solutions business unit担当副社長のClayton Pillionは次のように述べています。「今回のBZPACK mSiCパワーモジュールの発表は、きわめて要求の厳しい電力変換用途向けに耐久性と性能に優れたソリューションを提供していくというMicrochip社の確固たる姿勢を裏付けるものです。Microchip社の高度なmSiC技術を活用する事で、産業用市場とサステナビリティ市場全体にわたって、効率的で長寿命なシステムをより簡単に構築できるようになります」
BZPACKモジュールは、生産効率化とシステムのシンプル化のため、はんだ付けが不要なプレスフィット端子とコンパクトなベース プレートレス設計を特長としています。オプションでTIM(熱伝導材料)塗布済みのモジュールも選択可能です。このような多彩なオプションにより、組み立て時間が短縮されると共に、製造の一貫性も向上します。また、業界標準フットプリントでマルチソース化も容易になります。さらに、利便性を高めるため、各モジュールはピン互換で設計されています。
Microchip社のmSiC MOSFETのMBおよびMCファミリは、AEC-Q101規格に準拠したオプションが用意されており、産業用および車載用アプリケーションに堅牢なソリューションを提供します。これらのデバイスは一般的なゲートソース間電圧(VGS ≥ 15V)に対応しており、組み込みを容易にするために業界標準のパッケージで提供されます。HV-H3TRBで実証済みの性能により、湿気によるリーク電流や絶縁破壊によってフィールドで障害が発生するリスクを抑え、長期信頼性を確保できます。MCファミリはゲート抵抗を内蔵しており、スイッチング制御の向上、低いスイッチング エネルギの維持、マルチダイ モジュール構成における安定性の向上を実現します。現在、TO-247-4ノッチとダイ形式(ワッフルパック)のオプションを提供しています。
Microchip社は20年以上にわたるSiCデバイスと電源ソリューションの開発、設計、製造、サポート経験を活かし、お客様がSiCを簡単迅速、かつ自信を持って導入できるようお手伝いします。Microchip社のmSiC製品およびソリューションは、システムコストを削減し、開発期間を短縮し、リスクを低減できるように設計されています。また、SiCダイオード、MOSFET、ゲートドライバの広範かつ柔軟なポートフォリオを提供しています。詳細は
を参照してください。
価格と在庫/供給状況
BZPACK mSiCパワーモジュールは本日より量産受注を開始いたします。ご購入はMicrochip社の
正規代理店
https://www.microchip.com/en-us/about/global-sales-and-distribution
)にお問い合わせ頂くか、Microchip社の
オンラインストア
https://www.microchipdirect.com/
)をご利用ください。
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