•主要ハイパースケーラ向けにPIC100技術を300mm製造ラインで量産し、生産能力を2027年までに4倍、2028年にはさらに拡大する予定•PIC100 TSV（Through-Silicon-Via）の今後の技術ロードマップを発表

主要ハイパースケーラ向けにPIC100技術を300mm製造ラインで量産し、生産能力を2027年までに4倍、2028年にはさらに拡大する予定

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、ハイパースケーラのデータセンターやAIクラスタで使用される光インターコネクト向けに、シリコン・フォトニクス技術を使用した最先端の「PIC100」プラットフォームの量産を開始したことを発表しました。AIワークロードが急増する中、800Gおよび1.6TのPIC100トランシーバにより、広帯域、低遅延、優れたエネルギー効率を実現します。

STの品質・製造・技術 社長であるFabio Gualandrisは、次のようにコメントしています。「当社は2025年2月に新しいシリコン・フォトニクス技術を発表し、今回、主要ハイパースケーラ向けに量産を開始しました。当社の技術プラットフォームならびに300mm製造ラインの卓越した規模の組み合わせは、AIインフラのスーパーサイクルを支える独自の競争優位性を実現します。さらにその先を見据え、2027年までに生産量を4倍以上に拡大できるよう、製造能力の拡張を進めています。このような急速な拡張は、顧客からの長期的な生産数量確保のコミットメントによって支えられています。」

LightCounting社の最高経営責任者（CEO） 兼 チーフ・アナリストであるVladimir Kozlov博士は、次のようにコメントしています。「データセンター向けのプラガブル・オプティクス市場は著しい成長を続けており、2025年には155億ドルに達しました。この市場の年間平均成長率（2025年～2030年）は17%で、2030年末には340億ドルを超えることが期待されています。さらに、CPO（Co-Packaged Optics）が急成長分野として登場し、2030年までに90億ドル以上の売上となる見込みです。この期間に、シリコン・フォトニクスの変調器を搭載したトランシーバのシェアは、2025年の43%から2030年には76%まで増加する見込みです。STの優れたシリコン・フォトニクス・プラットフォームは、同社の積極的な増産計画とともに、ハイパースケーラに対して長期的な安定供給や一貫した品質、製造面でのレジリエンスを提供できる同社の能力を示しています。」

新しいPIC100 TSVプラットフォーム技術

AIインフラはかつてないほどの拡大を見せており、クラウド光インターコネクトの性能が重大なボトルネックになりつつあります。STのPIC100プラットフォームは、長年にわたるシリコン・フォトニクスのイノベーションを活用し、シリコン導波路および窒化シリコン導波路におけるクラス最高の低損失（それぞれ0.4dB/cmおよび0.5dB/cm）や先進の変調器ならびにフォトダイオードの性能、革新的なエッジ・カップリング技術など、最先端の光学性能を実現しています。

STはPIC100の量産と並行して、シリコン・フォトニクス技術のロードマップにおける次のステップであるPIC100TSVの導入を計画しています。これは、TSV（Through-Silicon-Via）技術を統合した独自の新しいプラットフォームであり、光ファイバの接続密度を高めるほか、モジュールの集積化やシステム・レベルでの熱効率の向上に貢献します。PIC100 TSVプラットフォームは、次世代のNPO（Near Packaged Optics）およびCPO（Co-Packaged Optics）に対応するよう設計されており、スケールアップに向けて光電融合をさらに進めていくハイパースケーラの長期的な移行計画に沿っています。

STは、ロサンゼルス（米国）で開催されるOptical Fiber Communication Conference(R)（2026年3月15～19日）において、シリコン・フォトニクスに関する事業および技術に関する最新のロードマップを発表する予定です。

•発表論文「An Innovative 300mm Back Side Integrated Silicon Photonics Platform for 200Gbits/lane Applications」（200Gbit/レーン・アプリケーション向けの革新的な300mm裏面集積型シリコン・フォトニクス・プラットフォーム）•Sicoya社およびSTによるPIC100ベースの1.6T-DR8シリコン・フォトニクス・トランシーバの初のデモをSicoya社のブース#507にて実施•CEA-Letiのイベント「Optical Interconnects: Driving Innovation in AI Factory and Beyond」（光インターコネクト：ＡＩファクトリとその先におけるイノベーションを駆動）（3月18日、太平洋時間18～20時）に参加

発表論文「An Innovative 300mm Back Side Integrated Silicon Photonics Platform for 200Gbits/lane Applications」（200Gbit/レーン・アプリケーション向けの革新的な300mm裏面集積型シリコン・フォトニクス・プラットフォーム）

Sicoya社およびSTによるPIC100ベースの1.6T-DR8シリコン・フォトニクス・トランシーバの初のデモをSicoya社のブース#507にて実施