東京科学大学 工学院電気電子系 /教授 ファム ナムハイ 氏にご講演いただきます。
株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、強磁性半導体について、第一人者からなる「強磁性半導体 最新開発状況 ～基礎と特長、世界最高スピン機能半導体デバイスの実現～」講座を開講いたします。
本セミナーでは、半導体と磁性体の特徴を融合できる強磁性半導体は、磁性体の不揮発性を持ち併せたようなエネルギー使用効率が極めて高い半導体デバイスが実現できると期待される。本講演では、強磁性半導体の第一人者である東京科学大学のファムナムハイ先生に、これまでとこれからの強磁性半導体について講演いただきます。
本講座は、2026年2月27日開講を予定いたします。
テーマ：強磁性半導体 最新開発状況 ～基礎と特長、世界最高スピン機能半導体デバイスの実現～
ープログラム・講師ー東京科学大学 工学院電気電子系 /教授 ファム ナムハイ 氏
WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
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•下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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半導体と強磁性体は情報化社会を支える材料としてそれぞれ大きな役割を果たしている。半導体は集積回路や光通信素子などの様々なデバイスに応用されている。これらの半導体デバイスにおいては機能が高速な電子の電荷によって支えられているため、動作が大変高速である。一方、強磁性体はハードディスクなどの情報記録媒体に広く利用されており、これらの磁性体デバイスには電子のスピンが持つ「不揮発性」という特徴が生かされている。磁性体デバイスは電力をまったく使わずにデータを保存できる「超低消費電力」という性質を有する。 もし半導体と磁性体の特徴を融合することができれば、磁性体の不揮発性を持ち併せたようなエネルギー使用効率が極めて高い半導体デバイスが実現できると期待される。本講演では、スピンと半導体の機能を融合できる新物質として最も有望な強磁性半導体 (FMS)として、狭ギャップIII-V族化合物半導体に数％以上のFeを添加した強磁性半導体について講演する。
2 強磁性半導体の特徴と機能性2-1 電界効果、光照射による磁性の制御2-2 単結晶磁気トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果(TMR)2-3 共鳴トンネルによるTMRの増大2-4 強磁性半導体の特徴を生かした機能性デバイス2-5 強磁性半導体の課題
3 Fe系強磁性半導体3-1 InAs系：(In,Fe)As強磁性半導体3-1-1 結晶成長3-1-2 構造解析、半導体スピンバンド分裂の観測3-1-3 電子誘起強磁性3-1-4 波動関数制御による磁性制御技術3-2 GaSb系：(Ga,Fe)Sb強磁性半導体3-2-1 結晶成長3-2-2 構造解析、半導体スピンバンド分裂の観測3-2-3 室温強磁性の実現3-3 InSb系：(In,Fe)Sb強磁性半導体3-3-1 結晶成長3-3-2 構造解析、半導体スピンバンド分裂の観測3-3-3 室温強磁性の実現
4 強磁性半導体ヘテロ接合4-1 p+InAs/(In,Fe)As 江崎ダイオード、バンドスピン分裂4-2 (In,Fe)As/(Ga,Fe)Sbスピン江崎ダイオード、巨大な磁気抵抗効果4-3 InAs/(Ga,Fe)Sb接合、近接磁気抵抗効果、一方向性磁気抵抗効果
5 強磁性半導体/トポロジカル絶縁体接合5-1 (Ga,Fe)Sb/BiSb接合5-2 スピンポンピングによる室温スピン注入
半導体と磁性体の特徴を融合できる強磁性半導体は、磁性体の不揮発性を持ち併せたようなエネルギー使用効率が極めて高い半導体デバイスが実現できると期待される。本講演では、強磁性半導体の第一人者である東京科学大学のファムナムハイ先生に、これまでとこれからの強磁性半導体について講演いただきます。
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