【CMCリサーチ】【ライブ配信/Zoom】「次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向」セミナー開催！11月18日（火）主催：(株)シーエムシー・リサーチ

★次世代パワー半導体に不可欠な「結晶欠陥評価」を基礎から最新技術まで解説。評価手法と事例を学び、研究開発やデバイス信頼性向上に役立つセミナー

主催：(株)シーエムシー・リサーチ（https://cmcre.com/）より、

注目のライブ配信セミナー（見逃し配信付）開催のお知らせです。

🎓 講師：姚　永昭氏（三重大学研究基盤推進機構半導体・デジタル未来創造センター　教授）

📆 開催日時：2025年11月18日（火）13:30～16:30

🖥️ Zoom配信 + 見逃しアーカイブ配信あり（資料付）

💬 テーマ：「次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向」

――4H-SiC・GaN・β-Ga2O3などワイドギャップ半導体の結晶評価に焦点。欠陥の解析からデバイス特性への影響まで、次世代パワーデバイスの性能・信頼性向上に直結する知識を習得できる講座です。

受講料

・一般：44,000円（税込）

・メルマガ会員：39,600円（税込）

・アカデミック：26,400円（税込）

📺 ご都合の合わない方も安心！

詳細・お申込みはこちら

🧠 質疑応答の時間もございます。

研究・業務での活用に向け、ぜひご参加ください！

【セミナーで得られる知識】

　・結晶の構造

　・結晶中の欠陥

　・欠陥の評価方法

　・欠陥のデバイスに与える影響

【セミナー対象者】

　半導体結晶の欠陥評価に従事する研究者と技術者

1）セミナーテーマ及び開催日時

テーマ：次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向

開催日時：2025年11月18日（火）13：30～16：30

参加費：44,000円（税込） ※ 資料付・見逃し配信付

　　　＊メルマガ登録者は 39,600円（税込）

　　　＊アカデミック価格は 26,400円（税込）

講師：姚　永昭氏三重大学研究基盤推進機構半導体・デジタル未来創造センター　教授

〈セミナー趣旨〉

　4H-SiC、GaN、β-GaO、AlNに代表されるワイドギャップ化合物半導体は、高電力密度や低損失、高温での安定性など、従来の半導体に比べて優れた性能を有しており、近年、これらの材料を利用した次世代のパワーデバイスの研究開発が大きな進展を遂げている。しかしながら、強い共有結合をもつため、材料の結晶成長が困難で成長後の結晶中に転位等の格子欠陥が高密度に含まれる。格子欠陥の一部はデバイスの性能と信頼性を損ねるため、欠陥分布と種別を正確に取得した上で、デバイス特性を大きく低下させるキラー欠陥を特定し、その情報を結晶成長とデバイス作製にフィードバックすることが極めて重要である。本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、評価技術の原理と事例を基礎から解説する。各手法の適用範囲と課題を説明するとともに、新たな手法開発の取り組みとして、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡（TEM）、多光子励起顕微鏡などの最新評価事例を紹介する。

※本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。推奨環境は当該ツールをご参照ください。後日、視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。

★受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。

💡 見逃し配信あり（期間限定）

・当該ウェビナーにお申込みいただいた場合には、サービスとしてZOOMを使用した「見逃し配信」を合わせて提供いたします。

・見逃し配信では、ウェビナーの録画動画を一定期間視聴可能です。

・ウェビナーを復習したい方、当日の受講が難しい方、期間内であれば動画を何度も視聴可能です。

2）申し込み方法

シーエムシー・リサーチの当該セミナーサイトからお申し込みください。

折り返し、視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。

詳細はURLをご覧ください。

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